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圖片信息
IXGP8N100圖片
基本技術(shù)信息：
  • 電子器件型號(hào)：IXGP8N100
  • 原始制造廠商：IXYS
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：IGBT 1000V 16A 54W TO220
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類(lèi)：晶體管 - UGBT,、MOSFET - 單
  • 點(diǎn)擊此處下載IXGP8N100的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet（PDF文件）
  • 現(xiàn)貨供應(yīng)，最快當(dāng)日出貨,，滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購(gòu)需求,！
    • 技術(shù)參數(shù)詳解：
  • 制造商產(chǎn)品型號(hào)：IXGP8N100
  • 制造商：IXYS（IXYS已被Littelfuse收購(gòu)）
  • 描述：IGBT 1000V 16A 54W TO220
  • 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 產(chǎn)品系列：-
  • 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
  • IGBT類(lèi)型：PT
  • 電壓-集射極擊穿（最大值）：1000V
  • 電流-集電極(Ic)（最大值）：16A
  • 電流-集電極脈沖(Icm)：32A
  • 不同?Vge,、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：2.7V @ 15V,，8A
  • 功率-最大值：54W
  • 開(kāi)關(guān)能量：2.3mJ（關(guān)）
  • 輸入類(lèi)型：標(biāo)準(zhǔn)
  • 柵極電荷：26.5nC
  • 25°C時(shí)Td（開(kāi)/關(guān)）值：15ns/600ns
  • 測(cè)試條件：800V，8A,，120 歐姆,，15V
  • 反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：-
  • 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類(lèi)型：通孔
  • 封裝：TO-220-3
  • IXGP8N100均從IXYS代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu)，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨,，確保原裝正品,！
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    深圳市南皇電子有限公司 - IXGP8N100 - IXYS公司芯片現(xiàn)貨領(lǐng)導(dǎo)代理商

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