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圖片信息
IXYN120N65C3D1圖片
基本技術(shù)信息：
  • 電子器件型號(hào)：IXYN120N65C3D1
  • 原始制造廠(chǎng)商：IXYS
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：IGBT MOD DISC XPT-GENX3 SOT227UI
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類(lèi)：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 點(diǎn)擊此處下載IXYN120N65C3D1的原廠(chǎng)技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet（PDF文件）
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    • 技術(shù)參數(shù)詳解：
  • 制造商產(chǎn)品型號(hào)：IXYN120N65C3D1
  • 制造商：IXYS（IXYS已被Littelfuse收購(gòu)）
  • 描述：IGBT MOD DISC XPT-GENX3 SOT227UI
  • 系列：晶體管 - UGBT,、MOSFET - 單
  • 產(chǎn)品系列：GenX3?, XPT?
  • 零件狀態(tài)：有源
  • IGBT類(lèi)型：PT
  • 電壓-集射極擊穿（最大值）：650V
  • 電流-集電極(Ic)（最大值）：190A
  • 電流-集電極脈沖(Icm)：620A
  • 不同?Vge,、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：2.8V @ 15V，100A
  • 功率-最大值：830W
  • 開(kāi)關(guān)能量：1.25mJ（開(kāi)）,，500μJ（關(guān)）
  • 輸入類(lèi)型：標(biāo)準(zhǔn)
  • 柵極電荷：265nC
  • 25°C時(shí)Td（開(kāi)/關(guān)）值：28ns/127ns
  • 測(cè)試條件：400V,，50A，2 歐姆,，15V
  • 反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：29ns
  • 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安裝類(lèi)型：底座安裝
  • 封裝：SOT-227-4,，miniBLOC
  • IXYN120N65C3D1均從IXYS代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu)，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨,，確保原裝正品,！
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