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圖片信息
IPB023N06N3 G圖片
基本技術(shù)信息：
  • 電子器件型號(hào)：IPB023N06N3 G
  • 原始制造廠商：Infineon，英飛凌
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET N-CH 60V 140A TO263-7
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類：?jiǎn)味藞?chǎng)效應(yīng)管
  • 點(diǎn)擊此處下載IPB023N06N3 G的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet（PDF文件）
  • 現(xiàn)貨供應(yīng),，最快當(dāng)日出貨,，滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購需求！
    • 技術(shù)參數(shù)詳解：
  • Infineon英飛凌公司完整型號(hào)：IPB023N06N3 G
  • 制造廠家名稱：Infineon Technologies
  • 描述：MOSFET N-CH 60V 140A TO263-7
  • 系列：OptiMOS?
  • FET 類型：MOSFET N 通道,，金屬氧化物
  • FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源極電壓 (Vdss)：60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：140A（Tc）
  • 不同 Id,、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：2.3 毫歐 @ 100A，10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 141μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：198nC @ 10V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：16000pF @ 30V
  • 功率 - 最大值：214W
  • 安裝類型：表面貼裝
  • 封裝/外殼：TO-263-7,，D2Pak（6 引線+接片）,，TO-263CB
  • 供應(yīng)商器件封裝：PG-TO263-7
  • IPB023N06N3 G均從Infineon代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨,，確保原裝正品,！
    • 時(shí)刻努力成為您值得信賴的IC供應(yīng)商
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