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圖片信息
APTGT75A120D1G圖片
基本技術(shù)信息：
  • 電子器件型號：APTGT75A120D1G
  • 原始制造廠商：Microsemi，美高森美
  • 技術(shù)標準參數(shù)：IGBT MODULE 1200V 110A 357W D1
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - IGBT - 模塊
  • 點擊此處下載APTGT75A120D1G的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）
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    • 技術(shù)參數(shù)詳解：
  • 制造商產(chǎn)品型號：APTGT75A120D1G
  • 制造商：Microsemi Corporation
  • 描述：IGBT MODULE 1200V 110A 357W D1
  • 系列：晶體管 - IGBT - 模塊
  • 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
  • IGBT類型：溝槽型場截止
  • 配置：半橋
  • 電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V
  • 電流-集電極(Ic)（最大值）：110A
  • 功率-最大值：357W
  • 不同?Vge,、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，75A
  • 電流-集電極截止（最大值）：4mA
  • 不同?Vce時輸入電容(Cies)：5345nF @ 25V
  • 輸入：標準
  • NTC熱敏電阻：無
  • 工作溫度：-
  • 安裝類型：底座安裝
  • 封裝：D1
  • APTGT75A120D1G均從Microsemi代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品,！
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