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圖片信息
PSMN7R0-100BS,118圖片
基本技術信息:
  • 電子器件型號:PSMN7R0-100BS,118
  • 原始制造廠商:NXP,恩智浦半導體
  • 技術標準參數(shù):MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
  • 產(chǎn)品應用分類:單端場效應管
  • 點擊此處下載PSMN7R0-100BS,118的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術參數(shù)詳解:
  • NXP恩智浦完整型號:PSMN7R0-100BS,118
  • 制造廠家名稱:NXP Semiconductors
  • 描述:MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
  • 系列:-
  • FET 類型:MOSFET N 通道,,金屬氧化物
  • FET 功能:標準
  • 漏源極電壓 (Vdss):100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):100A(Tc)
  • 不同 Id,、Vgs 時的 Rds On(最大值):6.8 毫歐 @ 15A,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):125nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):6686pF @ 50V
  • 功率 - 最大值:269W
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 封裝/外殼:TO-263-3,,D2Pak(2 引線+接片),,TO-263AB
  • 供應商器件封裝:D2PAK
  • PSMN7R0-100BS,118均從NXP代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,,確保原裝正品,!
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