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圖片信息
NTLJS4149PTAG圖片
基本技術(shù)信息：
  • 電子器件型號(hào)：NTLJS4149PTAG
  • 原始制造廠商：ON,，ON安森美半導(dǎo)體
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET P-CH 30V 2.7A 6WDFN
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
  • 點(diǎn)擊此處下載NTLJS4149PTAG的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet（PDF文件）
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    • 技術(shù)參數(shù)詳解：
  • 制造商產(chǎn)品型號(hào)：NTLJS4149PTAG
  • 制造商：ON Semiconductor
  • 描述：MOSFET P-CH 30V 2.7A 6WDFN
  • 系列：晶體管 - FET,，MOSFET - 單個(gè)
  • 產(chǎn)品系列：-
  • 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
  • FET類型：P 通道
  • 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）：30V
  • 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：2.7A（Ta）
  • 驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn,，最小RdsOn）：2.5V，4.5V
  • 不同Id,、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：62 毫歐 @ 2A,，4.5V
  • 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA
  • 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：15nC @ 4.5V
  • Vgs（最大值）：±12V
  • 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：960pF @ 15V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：700mW（Ta）
  • 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型：表面貼裝型
  • 器件封裝：6-WDFN（2x2）
  • NTLJS4149PTAG均從ON代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu)，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨,，確保原裝正品,！
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