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圖片信息
NTMD6N03R2G圖片
基本技術信息:
  • 電子器件型號:NTMD6N03R2G
  • 原始制造廠商:ON,ON安森美半導體
  • 技術標準參數:MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
  • 產品應用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
  • 點擊此處下載NTMD6N03R2G的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術參數詳解:
  • 制造商產品型號:NTMD6N03R2G
  • 制造商:ON Semiconductor
  • 描述:MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
  • 系列:晶體管 - FET,,MOSFET - 陣列
  • 產品系列:-
  • 零件狀態(tài):有源
  • FET類型:2 N-通道(雙)
  • FET功能:邏輯電平門
  • 漏源電壓(Vdss):30V
  • 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):6A
  • 不同Id,、Vgs時導通電阻(最大值):32 毫歐 @ 6A,10V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):30nC @ 10V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):950pF @ 24V
  • 功率-最大值:1.29W
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 封裝:8-SOIC(0.154,,3.90mm 寬)
  • NTMD6N03R2G均從ON代理或經過認證的可靠渠道采購,,長期充足現貨,確保原裝正品,!
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