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圖片信息
STD1HNC60T4圖片
基本技術信息:
  • 電子器件型號:STD1HNC60T4
  • 原始制造廠商:ST,,意法半導體
  • 技術標準參數(shù):MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
  • 產(chǎn)品應用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
  • 點擊此處下載STD1HNC60T4的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術參數(shù)詳解:
  • 制造商產(chǎn)品型號:STD1HNC60T4
  • 制造商:STMicroelectronics
  • 描述:MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
  • 系列:晶體管 - FET,,MOSFET - 單個
  • 產(chǎn)品系列:PowerMESH? II
  • 零件狀態(tài):停產(chǎn)
  • FET類型:N 通道
  • 技術:MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss):600V
  • 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):2A(Tc)
  • 驅動電壓(最大RdsOn,,最小RdsOn):10V
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):5 歐姆 @ 1A,,10V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):15.5nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±30V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):228pF @ 25V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):50W(Tc)
  • 工作溫度:150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 器件封裝:DPAK
  • STD1HNC60T4均從ST代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品,!
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