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技術(shù)參數(shù)詳解：
制造商產(chǎn)品型號(hào)：STGB20NC60VT4制造商：STMicroelectronics描述：IGBT 600V 60A 200W D2PAK系列：晶體管 - UGBT,、MOSFET - 單產(chǎn)品系列：PowerMESH?零件狀態(tài)：停產(chǎn)IGBT類型：-電壓-集射極擊穿（最大值）：600V電流-集電極(Ic)（最大值）：60A電流-集電極脈沖(Icm)：100A不同?Vge,、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：2.5V @ 15V，20A功率-最大值：200W開(kāi)關(guān)能量：220μJ（開(kāi)）,，330μJ（關(guān)）輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)柵極電荷：100nC25°C時(shí)Td（開(kāi)/關(guān)）值：31ns/100ns測(cè)試條件：390V，20A,，3.3 歐姆,，15V反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：-工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型封裝：TO-263-3,，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263ABSTGB20NC60VT4均從ST代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu),，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨,，確保原裝正品！
