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圖片信息
STGD19N40LZ圖片
基本技術信息:
  • 電子器件型號:STGD19N40LZ
  • 原始制造廠商:ST,,意法半導體
  • 技術標準參數(shù):IGBT 20V 40A DPAK
  • 產(chǎn)品應用分類:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 點擊此處下載STGD19N40LZ的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術參數(shù)詳解:
  • 制造商產(chǎn)品型號:STGD19N40LZ
  • 制造商:STMicroelectronics
  • 描述:IGBT 20V 40A DPAK
  • 系列:晶體管 - UGBT,、MOSFET - 單
  • 產(chǎn)品系列:Automotive, AEC-Q101
  • 零件狀態(tài):有源
  • IGBT類型:-
  • 電壓-集射極擊穿(最大值):390V
  • 電流-集電極(Ic)(最大值):25A
  • 電流-集電極脈沖(Icm):40A
  • 不同?Vge,、Ic時?Vce(on)(最大值):1.5V @ 4.5V,10A
  • 功率-最大值:125W
  • 開關能量:-
  • 輸入類型:邏輯
  • 柵極電荷:17nC
  • 25°C時Td(開/關)值:650ns/13.5μs
  • 測試條件:300V,,10A,,1 千歐,5V
  • 反向恢復時間(trr):-
  • 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 封裝:TO-252-3,,DPak(2 引線 + 接片),,SC-63
  • STGD19N40LZ均從ST代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,,確保原裝正品,!
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