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深圳市南皇電子有限公司長期提供K4A4G085WE-BIRC（品牌: Samsung）充足現貨訂購,、免費樣品

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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：K4A4G085WE-BIRC

技術標準參數：SAMSUNG DRAM NAND

產品應用分類：雙倍數據率同步動態(tài)隨機存儲器

現貨供應,，最快當日出貨，滿足您從研發(fā)到批量生產的所有大小批量采購需求,！

技術參數詳解：

三星芯片型號：K4A4G085WE-BIRC

制造商：SAMSUNG（三星半導體）

功能類別：雙倍數據率同步動態(tài)隨機存儲器

容量：4Gb

架構：512M x 8

速率：2400 Mbps

工作電壓：1.2 V

工作溫度：-40 ~ 95 °C

封裝：78FBGA

產品狀態(tài)：批量生產

K4A4G085WE-BIRC均從三星半導體代理或經過認證的可靠渠道采購,，長期充足現貨，確保原裝正品,！

Samsung

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