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圖片信息
K4B1G1646I-BYK0圖片
基本技術信息：
  • 電子器件型號：K4B1G1646I-BYK0
  • 原始制造廠商：Samsung,，三星半導體
  • 技術標準參數(shù)：SAMSUNG DRAM NAND
  • 產(chǎn)品應用分類：雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器
  • 點擊此處下載K4B1G1646I-BYK0的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）
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    • 技術參數(shù)詳解：
  • 三星芯片型號：K4B1G1646I-BYK0
  • 制造商：SAMSUNG（三星半導體）
  • 功能類別：雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器
  • 容量：1Gb
  • 架構：64M x 16
  • 速率：1600 Mbps
  • 工作電壓：1.35 V
  • 工作溫度：0 ~ 85 °C
  • 封裝：96FBGA
  • 產(chǎn)品狀態(tài)：批量生產(chǎn)
  • K4B1G1646I-BYK0均從三星半導體代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨,，確保原裝正品,！
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