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圖片信息
GT10J312(Q)圖片
基本技術信息:
  • 電子器件型號:GT10J312(Q)
  • 原始制造廠商:Toshiba,,東芝半導體
  • 技術標準參數:IGBT 600V 10A 60W TO220SM
  • 產品應用分類:晶體管 - UGBT,、MOSFET - 單
  • 點擊此處下載GT10J312(Q)的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術參數詳解:
  • 制造商產品型號:GT10J312(Q)
  • 制造商:Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述:IGBT 600V 10A 60W TO220SM
  • 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 產品系列:-
  • 零件狀態(tài):停產
  • IGBT類型:-
  • 電壓-集射極擊穿(最大值):600V
  • 電流-集電極(Ic)(最大值):10A
  • 電流-集電極脈沖(Icm):20A
  • 不同?Vge,、Ic時?Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,,10A
  • 功率-最大值:60W
  • 開關能量:-
  • 輸入類型:標準
  • 柵極電荷:-
  • 25°C時Td(開/關)值:400ns/400ns
  • 測試條件:300V,10A,,100 歐姆,,15V
  • 反向恢復時間(trr):200ns
  • 工作溫度:150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 封裝:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),,SC-63
  • GT10J312(Q)均從Toshiba代理或經過認證的可靠渠道采購,,長期充足現貨,確保原裝正品,!
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