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圖片信息
HN4C51J(TE85L,F)圖片
基本技術信息:
  • 電子器件型號:HN4C51J(TE85L,F)
  • 原始制造廠商:Toshiba,,東芝半導體
  • 技術標準參數(shù):TRANS 2NPN 120V 0.1A SMV
  • 產(chǎn)品應用分類:晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 陣列
  • 點擊此處下載HN4C51J(TE85L,F)的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術參數(shù)詳解:
  • 制造商產(chǎn)品型號:HN4C51J(TE85L,F)
  • 制造商:Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述:TRANS 2NPN 120V 0.1A SMV
  • 系列:晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 陣列
  • 零件狀態(tài):有源
  • 晶體管類型:2 NPN(雙)共基極
  • 電流-集電極(Ic)(最大值):100mA
  • 電壓-集射極擊穿(最大值):120V
  • 不同?Ib、Ic時?Vce飽和壓降(最大值):300mV @ 1mA,,10mA
  • 電流-集電極截止(最大值):100nA(ICBO)
  • 不同?Ic,、Vce?時DC電流增益(hFE)(最小值):200 @ 2mA,,6V
  • 功率-最大值:300mW
  • 頻率-躍遷:100MHz
  • 工作溫度:150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 封裝:SC-74A,SOT-753
  • HN4C51J(TE85L,F)均從Toshiba代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,,長期充足現(xiàn)貨,,確保原裝正品!
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