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圖片信息
SSM6L36FE(TE85L,F)圖片
基本技術(shù)信息:
  • 電子器件型號(hào):SSM6L36FE(TE85L,F)
  • 原始制造廠商:Toshiba,,東芝半導(dǎo)體
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):MOSFET N/P-CH 20V 0.5A/0.33A ES6
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類:場(chǎng)效應(yīng)管陣列
  • 點(diǎn)擊此處下載SSM6L36FE(TE85L,F)的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet(PDF文件)
  • 現(xiàn)貨供應(yīng),最快當(dāng)日出貨,,滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購(gòu)需求,!
  • 技術(shù)參數(shù)詳解:
  • 東芝半導(dǎo)體公司完整型號(hào):SSM6L36FE(TE85L,F)
  • 制造廠家名稱:Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述:MOSFET N/P-CH 20V 0.5A/0.33A ES6
  • 系列:-
  • FET 類型:N 和 P 溝道
  • FET 功能:邏輯電平門
  • 漏源極電壓 (Vdss):20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):500mA,330mA
  • 不同 Id,、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):630 毫歐 @ 200mA,,5V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1V @ 1mA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):1.23nC @ 4V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):46pF @ 10V
  • 功率 - 最大值:150mW
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666
  • 供應(yīng)商器件封裝:ES6(1.6x1.6)
  • SSM6L36FE(TE85L,F)均從Toshiba代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu),,長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨,,確保原裝正品!
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