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高可靠性 GaN 半導(dǎo)體
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高壓 GaN 半導(dǎo)體器件
自 2007 年成立以來,Transphorm 取得了多項(xiàng)里程碑和行業(yè)第一,,Transphorm 的創(chuàng)新正在推動電力電子技術(shù)超越硅的限制,,以實(shí)現(xiàn)超過 99% 的效率、40% 的功率密度和 20% 的系統(tǒng)成本降低,。

GaN 革命的全球領(lǐng)導(dǎo)者
在設(shè)計(jì) Gen IV 時,,Transphorm 的工程團(tuán)隊(duì)借鑒了以前產(chǎn)品的生產(chǎn)量,加上對性能,、可制造性和成本降低的持續(xù)推動,,設(shè)計(jì)出一種具有極致簡單性和實(shí)質(zhì)性改進(jìn)的新產(chǎn)品。

第四代SuperGaN
Transphorm 的第四代SuperGaN提供更平坦和更高的效率曲線,,品質(zhì)因數(shù)提高了大約 10%,,通過消除在高工作電流下對開關(guān)節(jié)點(diǎn)緩沖器的需求,提高了設(shè)計(jì)的簡單性
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在 USB PD 充電應(yīng)用中,,Diodes 的 ACF 解決方案可以勝過傳統(tǒng)的反激式轉(zhuǎn)換器,并提供比諧振 LLC 半橋解決方案低得多的成本,。...

該套件將 Diodes 的高性能有源鉗位反激 (ACF) 控制器與 Transphorm 的具有輸入功率因數(shù)校正 (PFC) 的專利常關(guān)型 SuperGaN Gen IV...
Transphorm有哪些電子元器件產(chǎn)品線?













Transphorm熱賣產(chǎn)品(2025/6/6更新)

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