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Adesto Technologies 的 DataFlash "E" 系列是全新系列非易失性存儲器器件,，具有較低的功率要求和智能特性,，系統(tǒng)效率更高、成本更低,。DataFlash E 系列具有多種特性和選項,，包括多種行業(yè)第一的特性，如寬 VCC 電壓和“超深度省電”模式,。E 系列產(chǎn)品還包括全新的“智能”特性,，從而提高了如高效“字節(jié)寫”之類系統(tǒng)性能，不需要大塊擦除和行業(yè)標準的“擦除-編程-掛起-恢復(fù)”指令,。

采用 Adesto 的 E 系列器件后,，編程器可發(fā)一個單軟件指令即可擦除/寫入,。這與標準串行閃存產(chǎn)品不同，后者需要 4 Kb 的塊擦除,。這意味著減少了主機控制器對存儲器進行管理的需要,，釋放出資源用于為更高優(yōu)先級操作,。較少的存儲器管理同時還意味著控制器的 SRAM 中的軟件占用空間更小,，這樣給設(shè)計師帶來了靈活性，可使用更小的微控制器,，或放棄外部 SRAM,。

該 E 系列產(chǎn)品具有最大節(jié)能效果，通過簡單的軟件指令即可進入超深度省電模式,。E 系列所提供的省電模式僅消耗納安級的電流,，能效優(yōu)于其它競爭產(chǎn)品一個數(shù)量級以上。省電模式的軟件控制能夠讓設(shè)計師免除使用額外的硬件元件,，如低壓差穩(wěn)壓器 (LDO) 或氮化鎵晶體管,。

對于移動或電池供電的設(shè)備，DataFlash E 系列不經(jīng)調(diào)壓即可運行,，從而最大限度地提升從 1.65 V 至 3.6 V 不間斷的電池壽命,。相對標準 VCC 零件，擴展電壓范圍能夠延長電池壽命高達 1000%,，同時削減了低壓差穩(wěn)壓器 (LDO) 的成本,。

對于在更小、更慢型 MCU/CPU 上運行且在高 MHz 范圍內(nèi)運行的應(yīng)用,，DataFlash 現(xiàn)在支持低功耗讀指令,，在時鐘頻率低于 10 MHz 時，通常比標準讀命令可節(jié)省 20% 的電力,。

E 系列包括各種存儲密度,，非常適合數(shù)字語音、圖像,、程序代碼,、數(shù)據(jù)存儲和其它存儲器應(yīng)用。