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據(jù)相關(guān)人士消息,，ESMT公司將再建設(shè)包括DRAM總部研發(fā)中心在內(nèi)的DRAM事業(yè)群總部,、DRAM存儲芯片制造工廠，據(jù)悉,，DRAM存儲芯片制造工廠計劃于2019年底開工建設(shè),，預(yù)計2021年建成投產(chǎn)。

DRAM分為很多種,，常見的主要有FPRAM／FastPage,、EDORAM、DDR RAM,、RDRAM,、SGRAM 和WRAM。DRAM也叫動態(tài)隨機存取存儲器,，DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間,，所以需要定時刷新。由于DRAM的特性決定,，DRAM能存儲電荷的時間非常短暫,，這樣它需要在電荷消失之前進行刷新，直到下次寫入數(shù)據(jù)或者計算機斷電才停止,。每次讀寫操作都要刷新DRAM內(nèi)的電荷,，因此DRAM設(shè)計為有規(guī)律的讀取其內(nèi)的內(nèi)容。

在全球的DRAM芯片市場上,，韓國三星和海力士,，美國的鎂光,、英特爾、閃迪,，日本的東芝六家廠商，壟斷了全球九成的產(chǎn)量,。其中僅三星,、海力士、東芝三家,，就占了八成的份額,。DRAM芯片作為存儲芯片市場的主力，近年來,，隨著存儲價格的走低,，對整個市場影響很大，不管是上游制造商還是分銷商,、客戶等,，市場走低勢必影響投入，而ESMT公司本次的加大投入也預(yù)示著行業(yè)正在回暖,，市場前景仍廣闊,。