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ISSI推出具有 2 Gb,、4 Gb 和 8 Gb 密度的 LPDDR4 和 LPDDR4X 是低壓存儲器件

ISSI 的 LPDDR4 和 LPDDR4X 是低壓存儲器件,,具有 2 Gb、4 Gb 和 8 Gb 密度,。這些器件被組織為每個器件 1/2 個通道,,每通道 8 個存儲體 16 位。LPDDR4 和 LPDDR4X 使用雙倍傳輸速率架構(gòu)來實(shí)現(xiàn)高速工作,。這種雙倍傳輸速率架構(gòu)本質(zhì)上是 16N 預(yù)取架構(gòu),,具有在 I/O 引腳上每時鐘周期傳輸兩個數(shù)據(jù)字的接口。

 

LPDDR4 和 LPDDR4X 具有完全同步的工作模式,,以時鐘的上升沿和下降沿為基準(zhǔn),。數(shù)據(jù)路徑是內(nèi)部流水線式和 16N 位預(yù)取式,用于達(dá)到很高的帶寬,。LPDDR4 和 LPDDR4X 均具有可編程實(shí)時猝發(fā)長度的可編程讀寫延遲,。這些器件的低壓內(nèi)核和 I/O 使它們成為移動應(yīng)用的理想選擇。

 

特性

低電壓

LPDDR4: 1.8 V

LPDDR4X: 1.1 V

低壓 I/O

LPDDR4: 1.1 V

LPDDR4X: 0.6 V

10 MHz 至 1600 MHz 頻率范圍

每個 I/O 傳輸速率 20 Mbps 至 3200 Mbps

16N 預(yù)取 DDR 架構(gòu)

每個通道八個內(nèi)部存儲體,,用于并行工作

多路復(fù)用,,雙倍傳輸速率,指令/地址輸入

移動功能可降低功耗

可編程的實(shí)時猝發(fā)長度(BL = 16 或 32)

可編程的讀寫延遲

片載溫度傳感器可實(shí)現(xiàn)有效的自刷新控制

ZQ 校準(zhǔn)

可調(diào)驅(qū)動強(qiáng)度

局部陣列自刷新 (PASR)

10 mm x 14.5 mm BGA-200 封裝

時鐘頻率:1.6 GHz

內(nèi)存格式:DRAM

內(nèi)存接口:并行

內(nèi)存類型:易失性

安裝類型:表面貼裝

工作溫度:-40°C 至 95°C (TC)

封裝/外殼:200-TFBGA 至 200-WFBGA

技術(shù):SDRAM 移動版 LPDDR4

電源電壓:1.06 V 至 1.17 V,,1.7 V 至 1.95 V

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