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Kioxia宣布成功開發(fā)具有112層垂直堆疊結(jié)構(gòu)的第五代BiCS FLASH三維(3D)閃存

鎧俠 (Kioxia,,原東芝半導體Toshiba)今日宣布,該公司已成功開發(fā)具有112層垂直堆疊結(jié)構(gòu)的第五代BiCS FLASH™三維(3D)閃存,。鎧俠計劃開始在2020年第一季度為特定應用提供樣品,,新產(chǎn)品具有512 Gb(64千兆字節(jié))容量并采用TLC(每單元3位數(shù)據(jù))技術(shù)*1。這款新產(chǎn)品旨在滿足對各種應用不斷增長的位需求,,包括傳統(tǒng)移動設(shè)備,、消費類和企業(yè)類固態(tài)硬盤(SSD)、新的5G網(wǎng)絡支持的新興應用,、人工智能和自動駕駛車輛,。

 

展望未來,鎧俠將其新的第五代工藝技術(shù)應用于更大容量的閃存產(chǎn)品,,例如1 Tb(128千兆字節(jié))TLC和1.33 Tb QLC(每單元4位數(shù)據(jù))產(chǎn)品,。

 

鎧俠創(chuàng)新的112層堆疊工藝技術(shù)與先進的電路和制造工藝技術(shù)相結(jié)合,與96層堆疊工藝相比,,將存儲單元陣列密度提高約20%,。因此,每片硅晶圓可以制造的存儲容量更高,,從而也降低了每位的成本(Bit-cost),。此外,它將接口速度提高50%,,并提供更高的寫性能和更短的讀取延遲,。

 

自2007率先發(fā)布采用3D堆疊結(jié)構(gòu)的閃存以來*2 ,鎧俠一直在推進3D閃存的開發(fā),,并積極推廣BiCS FLASH™,,以滿足對更小芯片尺寸和更大容量的需求。

 

第五代BiCS FLASH™是與技術(shù)和制造合作伙伴西部數(shù)據(jù)公司(Western Digital Corporation)共同開發(fā)的,。它將在鎧俠的四日市工廠和新建的北上工廠生產(chǎn)。

 

注:

 

1. 并非所有功能都已經(jīng)過測試,,且設(shè)備特性將來可能變更,。

 

2. 來源:鎧俠株式會社,,截至2007年6月12日。

 

* 本文提及的所有其他公司名稱,、產(chǎn)品名稱和服務名稱可能是其各自公司的商標,。

 

有關(guān)樣品、詳細規(guī)格,、價格和交貨報價及更多信息,,請聯(lián)系當?shù)氐?a href="http://7676333.cn/Kioxia/">Kioxia代理商進行詢問。

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