Navitas 宣布通過開設新的設計中心進軍更高功率市場致力于帶來下一代 GaN 功率 IC 和相關的高效、高功率密度系統(tǒng),,使世界各地的數(shù)據(jù)中心能夠從硅升級到 GaN,從而顯著提高節(jié)能效果,,降低電力成本并減少 CO 2排放。
氮化鎵 (GaN) 器件是功率半導體技術(shù)的前沿,,其運行速度比傳統(tǒng)硅芯片快 20 倍,。Navitas 的 GaNFast™ 電源 IC 集成了 GaN 電源,、GaN 驅(qū)動、保護和控制,。高速和高效率轉(zhuǎn)化為節(jié)能、高功率密度,、低成本和更高可靠性方面的新行業(yè)基準。
新的設計中心位于中國杭州,,擁有一支經(jīng)驗豐富的世界級電力系統(tǒng)設計師團隊,他們在電氣,、熱力和機械設計,、軟件開發(fā)以及完整的仿真和原型設計能力方面具有全面的能力。新團隊將在全球范圍內(nèi)為數(shù)據(jù)中心電力客戶提供支持,,從概念到原型,,再到全面認證和大規(guī)模生產(chǎn)。
設計中心將為全功能,、可生產(chǎn)的數(shù)據(jù)中心電源開發(fā)原理圖,、布局和固件。最高功率密度和最高效率的創(chuàng)新解決方案將 GaN 的價值帶入主流數(shù)據(jù)中心,。此外,,還將為磁性材料、熱基板和其他材料建立多個合作伙伴關系,,以幫助客戶優(yōu)化其電源設計,。
Navitas 估計,從傳統(tǒng)硅升級到新的 GaN 可以節(jié)省高達 40% 的能源,,并在全球范圍內(nèi)每年節(jié)省 1.9B 美元的數(shù)據(jù)中心電力成本。數(shù)據(jù)中心電源符合嚴格的效率標準,,極端“鈦”級要求在 50% 負載下達到 96% 的效率,。這些新基準不僅由 GaN 技術(shù)實現(xiàn),而且還受到法規(guī)的要求,,例如歐盟的“指令 2009/125/EC,,2019 附件”,該指令規(guī)定數(shù)據(jù)新中心電源必須從 1 月 1 日起達到“鈦”級效率圣, 2023.
“納微數(shù)據(jù)中心團隊擁有 GaN 功率 IC 的新技術(shù)技能,,以及真正的電源設計和認證經(jīng)驗,,”納微中國副總裁兼總經(jīng)理 Charles ZHA 說�,!暗谝粋證明點是 1.2kW 的‘Titanium plus’設計,它不僅超過了數(shù)據(jù)中心電源的最高效率標準,,而且經(jīng)過價值工程設計,,成本低于傳統(tǒng)硅設計。在此之后,,它會出現(xiàn)在 2.2kW 和 3kW 平臺上,。”
1.2kW的設計是與億陽和杭州FRD合作開發(fā)的,,目前正在評估2022年量產(chǎn)。斷電構(gòu)建模塊加快了原型制作和首次正確設計的時間,�,!� FRD 電源事業(yè)部總經(jīng)理 Ray GU 表示:“GaNFast 電源 IC 對于實現(xiàn) Titanium Plus 效率至關重要,,這是下一代數(shù)據(jù)中心電源的關鍵里程碑,。這將有助于 FRD 加強其產(chǎn)品組合并為企業(yè)客戶提供全面的解決方案,�,!�
“隨著數(shù)據(jù)和通信繼續(xù)呈指數(shù)級增長,數(shù)據(jù)中心升級到 GaNFast 電源 IC 以降低成本,、最大限度地節(jié)省能源并減少 CO 2排放至關重要,,”聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官 Gene SHERIDAN 說�,!白鳛橐粋關鍵的擴張市場,,我們在最近的 IPO 資金之前就進行了招募,而對我們數(shù)據(jù)中心設計團隊的信任已經(jīng)帶來了回報,。通過與世界各地的數(shù)據(jù)中心工程師合作,,我們可以加速采用基于 GaN 的數(shù)據(jù)中心,并對節(jié)能,、電力成本和 CO 2排放產(chǎn)生重大影響,。”
制造 GaN 功率 IC 的 CO 2足跡比硅芯片低 10 倍,,考慮到用例效率,、材料尺寸和重量優(yōu)勢,每個出貨的 GaN 功率 IC 可以節(jié)省 4 kg CO 2,�,?傮w而言,到2050年,,GaN 有望實現(xiàn)每年減少 2.6 Gton 的 CO 2排放量,。
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