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利用 Sanken 的下一代功率半導(dǎo)體 SiC（碳化硅）能實(shí)現(xiàn)采用肖特基勢(shì)壘配置并具有 650 V 擊穿電壓的產(chǎn)品。

FMCA 系列二極管適用于連續(xù)電流模式 PFC 電路,。 當(dāng)用擊穿電壓為 600 V 的快速恢復(fù)整流器二極管替換時(shí),，該器件能降低恢復(fù)電流造成的功率損耗。 因此,，該器件的節(jié)能效果巨大,。 此外，通過(guò)其快速切換能力還可實(shí)現(xiàn)設(shè)備小型化,。

SiC 肖特基勢(shì)壘二極管有助于將電源損耗降至最低,，如服務(wù)器的電源損耗，它會(huì)隨著大數(shù)據(jù)處理任務(wù)的增加而增大,。 該器件還有助于減小電氣設(shè)備體積,。

特性：

利用 SiC-SBD 的低恢復(fù)損耗特性提高電源能效

低電阻、高速開(kāi)關(guān)式 SiC MOSFET 實(shí)現(xiàn)了一種緊湊的高能效電源

由于提升了高溫期間的電流,，所以不會(huì)出現(xiàn)熱失控,，進(jìn)而能保持開(kāi)關(guān)性能穩(wěn)定