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pSemi推出世界上第一款單片絕緣體上硅 (SOI) Wi-Fi 前端模塊 (FEM) PE561221

pSemi Corporation(前身為 Peregrine Semiconductor)推出了世界上第一款單片絕緣體上硅 (SOI) Wi-Fi 前端模塊 (FEM)—— PE561221,。這款高性能模塊非常適合 Wi-Fi 家庭網(wǎng)關,、路由器和機頂盒,它使用智能偏置電路來提供高線性度信號和出色的長包誤差矢量幅度 (EVM) 性能,。PE561221 結合了 pSemi 的 SOI 技術的智能集成能力和村田在 Wi-Fi 連接解決方案和先進封裝方面的專業(yè)知識,。這款 2.4 GHz Wi-Fi FEM 集成了一個低噪聲放大器 (LNA)、一個功率放大器 (PA) 和兩個射頻開關(SP4T,、SP3T),。

 

pSemi 全球銷售副總裁 Colin Hunt 表示:“新的 IEEE 802.11ax 標準正在利用高階調制方案 (1024 QAM) 來滿足苛刻的 EVM 要求�,!皞鹘y(tǒng)工藝技術難以滿足性能和集成要求,,只有 SOI 才能提供集成和高性能的理想組合。這種新的單片 Wi-Fi 模塊是 pSemi 和 Murata 可以共同完成的技術和產品進步類型的一個很好的例子,�,!�

 

2.4 GHz Wi-Fi FEM 基于 pSemi 的 UltraCMOS® 技術平臺——一種獲得專利的高級 SOI 形式。憑借其出色的射頻和微波特性,,SOI 是一種理想的集成基板,。當與大批量 CMOS 制造(使用最廣泛的半導體技術)結合使用時,結果是一個可靠,、可重復的技術平臺,,與其他混合信號工藝相比,它提供了卓越的性能,。UltraCMOS 技術還支持智能集成——在單個芯片上集成射頻,、數(shù)字和模擬組件的獨特設計能力。

 

特性,、包裝和可用性 

 

PE561221 利用 UltraCMOS 技術的智能集成功能,,以 2 kV HBM ESD 額定值提供卓越的性能,、低功耗和高可靠性。通過先進的模擬和數(shù)字設計技術,,Wi-Fi FEM 在整個 -40°C 至 85°C 溫度范圍內工作時提供出色的長數(shù)據(jù)包 EVM 性能,,增益下降小于 0.1 dB。在 -40 dB EVM (MCS9) 時,,輸出功率為 +19 dBm,,4 毫秒數(shù)據(jù)包后功率輸出下降小于 0.05 dB。該 IC 無需數(shù)字預失真 (DPD) 即可提供同類最佳的動態(tài)誤差矢量幅度 (DEVM) 和電流消耗,,并且具有出色的 MCS11 性能,,適用于 802.11ax 應用。

 

pSemi 可提供 PE561221 的量產零件和樣品,。有關銷售信息,,請聯(lián)系pSemi代理商

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更多IC電子元器件制造商行業(yè)動態(tài)(2025年6月7日更新)
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