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圖片信息
IPD30N10S3L-34圖片
基本技術信息：
  • 電子器件型號：IPD30N10S3L-34
  • 原始制造廠商：Infineon,，英飛凌
  • 技術標準參數：MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3
  • 產品應用分類：單端場效應管
  • 點擊此處下載IPD30N10S3L-34的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）
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    • 技術參數詳解：
  • Infineon英飛凌公司完整型號：IPD30N10S3L-34
  • 制造廠家名稱：Infineon Technologies
  • 描述：MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3
  • 系列：OptiMOS?
  • FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 功能：邏輯電平門
  • 漏源極電壓 (Vdss)：100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：30A（Tc）
  • 不同 Id,、Vgs 時的 Rds On（最大值）：31 毫歐 @ 30A，10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 29μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：31nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1976pF @ 25V
  • 功率 - 最大值：57W
  • 安裝類型：表面貼裝
  • 封裝/外殼：TO-252-3,，DPak（2 引線+接片）,，SC-63
  • 供應商器件封裝：PG-TO252-3
  • IPD30N10S3L-34均從Infineon代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨,，確保原裝正品,！
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