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圖片信息
BUK9K52-60E,115圖片
基本技術信息:
  • 電子器件型號:BUK9K52-60E,115
  • 原始制造廠商:NXP,,恩智浦半導體
  • 技術標準參數:MOSFET 2N-CH 60V 16A LFPAK56D
  • 產品應用分類:場效應管陣列
  • 點擊此處下載BUK9K52-60E,115的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術參數詳解:
  • NXP恩智浦完整型號:BUK9K52-60E,115
  • 制造廠家名稱:NXP Semiconductors
  • 描述:MOSFET 2N-CH 60V 16A LFPAK56D
  • 系列:TrenchMOS?
  • FET 類型:2 個 N 溝道(雙)
  • FET 功能:邏輯電平門
  • 漏源極電壓 (Vdss):60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):16A
  • 不同 Id,、Vgs 時的 Rds On(最大值):49 毫歐 @ 5A,,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 1mA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):10nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):725pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:32W
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 封裝/外殼:SOT-1205, 8-LFPAK56
  • 供應商器件封裝:LFPAK56D
  • BUK9K52-60E,115均從NXP代理或經過認證的可靠渠道采購,,長期充足現貨,,確保原裝正品!
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