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Nexperia宣布推出采用新一代H2技術的全新高壓氮化鎵場效應管

半導體基礎元器件生產領域的高產能生產專家Nexperia宣布推出一系列采用新一代H2技術的全新高壓氮化鎵場效應管,。新器件包含兩種封裝,,TO-247 和Nexperia專有的CCPAK。兩者均實現(xiàn)了更出色的開關和導通性能,,并具有更好的穩(wěn)定性,。由于采用了級聯(lián)結構并優(yōu)化了器件相關參數(shù),Nexperia的氮化鎵場效應管無需復雜的驅動和控制,,應用設計大為簡化,;使用標準的硅MOSFET 驅動器也可以很容易地驅動它們。

 

新的氮化鎵技術采用了貫穿外延層的過孔,,減少了缺陷并且芯片尺寸可縮小約24%,。TO-247 封裝的新器件,導通電阻RDS(on)降低到僅 41mΩ(最大值,,25℃的典型值為 35mΩ),,同時具有高的柵級閥值電壓和低反向導通電壓。CCPAK封裝的新器件,將導通電阻值進一步降低到39mΩ(最大值,,25℃的典型值為 33mΩ),。兩種封裝的新器件均符合 AEC-Q101 標準,可滿足汽車應用的要求,。

 

Nexperia氮化鎵戰(zhàn)略營銷總監(jiān) Dilder Chowdhury表示:“客戶需要導通電阻RDS(on)為30~40mΩ的650V新器件,,以便實現(xiàn)經濟高效的高功率轉換。相關的應用包括電動汽車的車載充電器,、高壓DC-DC直流轉換器和發(fā)動機牽引逆變器; 以及1.5~5kW鈦金級的工業(yè)電源,比如:機架裝配的電信設備,、5G設備和數(shù)據(jù)中心相關設備,。Nexperia持續(xù)投資氮化鎵開發(fā),并采用新技術擴充產品組合,。首先為功率模塊制造商提供了傳統(tǒng)的 TO-247封裝器件和裸芯片,,并隨后提供我們高性能的CCPAK 貼片封裝的器件�,!�

 

Nexperia 的 CCPAK貼片封裝采用了創(chuàng)新的銅夾片封裝技術來代替內部的封裝引線,。這樣可以減少寄生損耗,優(yōu)化電氣和熱性能,,并提高可靠性,。CCPAK封裝的氮化鎵器件提供頂部或底部散熱兩種配置,使其更通用,,并有助于進一步改善散熱,。

 

650V TO-247封裝的GAN041-650WSB 和 CCPAK 封裝的 GAN039-650NBB目前均可提供樣品。

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更多IC電子元器件制造商行業(yè)動態(tài)(2025年4月19日更新)
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